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日本の技術力が、世界の半導体産業のルールを書き換えようとしています。日本経済新聞などの報道によると、大日本印刷（DNP）とキヤノンなどが連携し、2027年をメドに「1.4ナノメートル世代」と呼ばれる超先端半導体の製造技術を実用化することが明らかになりました。

このニュースの衝撃的な点は、「EUVを使わない」という選択肢が現実味を帯びてきたことにあります。現在、世界の最先端半導体はオランダのASML社が独占する「EUV露光装置」なしには作れません。しかし、この装置は1台数百億円もし、稼働させるだけで小さな発電所が必要なほど莫大な電気を消費します。

これに対し、DNPとキヤノンが推し進める「ナノインプリント（NIL）」方式は、微細な回路が刻まれた「型」をスタンプのように押し付けるという、驚くほどシンプルな原理です。今回、DNPが回路線幅10ナノメートル（1.4ナノ世代相当）の型を作る技術を確立したことで、キヤノンの製造装置と組み合わせ、EUV方式に比べて消費電力を10分の1、製造コストを大幅に削減できる可能性が示されました。

AIの進化に伴い、データセンターの電力不足は深刻な問題となっています。「より高性能なチップが欲しいが、電気はこれ以上使えない」。そんなジレンマに陥る世界中のテック企業にとって、日本の「ハンコ技術」が救世主になるかもしれません。かつてメモリ向けが主戦場だったナノインプリントが、いよいよロジック半導体の王道である「1.4ナノ」へ。2027年、日本のモノづくりが再び世界のメインストリームに躍り出る瞬間を、私たちは目撃することになりそうです。